仪器列表
1.直写光源:405nm波长,高稳定性激光
2.支持基板最大4英寸(100mm*100mm),最小5mm*5mm
3.直写模式:100kHz高精度声光偏转器 AOD激光直写
4.激光直写速度:100000点/秒;
5.直写工具:1微米和3微米直写工具,全自动控制,可自定义区域
6.可以构建1um线宽的任意图形
7.特征结构间距:<350nm(扫描电镜检测)
8.光斑定位分辨率:<1nm;
9.特征结构边缘平滑度优于50nm
10.光斑间距调整范围:12nm-3m
11.套刻精度:在整个工作区域@100X100mm的套刻精度士500nm
12.写场间拼接精度:土500nm
13.光刻机尺寸650mmx522mmx626mm,重量80kg
14.光刻机总功率<350W
15.内部观察相机:高分辨8M灰度CMOS相机,透射、反射照明模式可选。
对已经涂覆光敏胶的样品基板进行直接曝光处理,以获得各种想要的表面结构。这种表面结构可以通过后续其它设备进一步处理来制作微电路芯片、微流控芯片、微电极阵列或者其它微米或纳米级器件。
原理:激光光源发出的375nm紫外光可以使对该波长光线敏感的材料(此处为光敏感胶)曝光,发生分子交联固化(负胶)或者消融(正胶),从而在光敏感胶上产生所需结构。DaLI可以控制内置紫外光源发出的光,利用透镜和光学器件(声光偏转器)使之会聚并按照指定路径在样品表面扫描,从而产生需要的图案结构。
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